Tài liệu Thư viện số
- Giáo trình nội bộ (295)
- Quản trị mạng máy tính (176)
- Kỹ thuật sửa chữa, lắp ráp máy tính (153)
- Kỹ thuật xây dựng (368)
- Cắt gọt kim loại (179)
- Công nghệ ô tô (176)
- Điện công nghiệp (188)
- Điện tử công nghiệp (155)
- Bảo vệ thực vật (119)
- Chế biến và bảo quản thủy sản (73)
- Chế biến thực phẩm (164)
- Nuôi trồng thủy sản nước mặn, nước lợ (244)
- Kỹ thuật máy lạnh và điều hòa không khí (121)
- Thú y (274)
- Môn học cơ bản (15)
- Tài liệu tham khảo khác (45)
Danh mục TaiLieu.VN
- Mẫu Slide Powerpoint
- Kinh Doanh Marketing (39320)
- Kinh Tế - Quản Lý (30571)
- Biểu Mẫu - Văn Bản (123435)
- Tài Chính - Ngân Hàng (23744)
- Công Nghệ Thông Tin (56521)
- Tiếng Anh - Ngoại Ngữ (9738)
- Kỹ Thuật - Công Nghệ (44193)
- Khoa Học Tự Nhiên (27343)
- Khoa Học Xã Hội (43227)
- Luật - Kinh tế luật (6560)
- Văn Hoá - Thể thao - Du Lịch (71283)
- Y - Dược - Sức Khoẻ (83234)
- Nông - Lâm - Thuỷ sản (16418)
- Luận Văn - Báo Cáo (217024)
- Tài Liệu Phổ Thông (244133)
- Trắc Nghiệm Online (213578)
- Trắc Nghiệm MBTI
- Trắc Nghiệm Holland
Bài giảng Công nghệ vi điện tử: Chương 4 - Oxy hoá
Bài giảng Công nghệ vi điện tử: Chương 4 trình bày về quá trình oxy hóa silic (Si) để tạo SiO2, mô hình Deal-Grove, tốc độ oxy hóa tuyến tính/parabol, và vai trò của SiO2 trong vi điện tử.
Từ khóa: Bài giảng, Công nghệ vi điện tử, Oxy hóa silic, Lớp oxit sio2, Mô hình deal-grove, Tốc độ oxy hóa
42 p tvs_svc 21/10/2025 8 0
Phát triển bởi Thư viện số
